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    杭州奧趨光電公司首席執行官吳亮博士來訪寧波材料
    作者:,日期:2022-10-03
      9月27日下午,應中國科學院寧波材料技術與工程研究所硅基太陽電池及寬禁帶半導體團隊邀請,杭州奧趨光電公司首席執行官吳亮博士來訪寧波材料所并進行了學術交流。本次報告主題為超寬禁帶半導體AlN單晶生長技術最新進展及其面臨挑戰,報告會由郭煒研究員主持。
      對于寬禁帶半導體領域的研究,高質量AlN單晶的生長是至關重要的問題。吳亮首先將AlN材料與其他寬禁帶材料從熱學、電學等方面的性能進行了分析和比較,展現了AlN在高頻和高功率應用場景下的突出優勢,同時回顧了生長AlN單晶的不同技術的發展及其所面臨的困難和挑戰。隨后,吳亮對AlN單晶的PVT生長系統及設備、模擬仿真軟件、晶體生長及單晶襯底制備的工藝進行了詳細的介紹,并展示了奧趨光電在該領域研究的最新進展。報告結束后,與會人員圍繞氮化鋁等超寬禁帶半導體材料的技術開發和器件應用展開了熱烈討論。在關于模擬仿真生長軟件的適用、SiC襯底生長AlN的優缺點以及AlScN材料未來的發展前景等問題方面,吳亮與在座師生進行了深入的交流和討論。吳亮指出,當前AlN超寬禁帶半導體襯底的國內市場雖然需求潛力巨大,但產業鏈還很不成熟,這導致襯底成本過高、與高質量襯底配套的MOCVD外延工藝不成熟等問題。但隨著市場教育的不斷深入,大尺寸、高質量的AlN單晶襯底必將在半導體器件領域獲得廣泛應用并體現其在高導熱率、高透光性等方面的特殊優勢。
      吳亮還表示,葉繼春研究員帶領的團隊底蘊深厚,人才濟濟,在寬禁帶半導體氮化鎵、氧化鎵材料與器件取得了諸多領域領先成果?;诘X單晶的器件在國內的基礎還比較薄弱,雙方的合作將對促進相關技術突破、人才培養等具有重要意義。交流期間,吳亮博士還參觀了浙江省能源光電子工程中心平臺的相關儀器設備,雙方就下一步基于浙江省重點研發計劃、寧波市相關項目合作研究具體方式深入交換了意見,并就未來雙方的人才交流、產學研合作等事項達成了共識。

    報告現場
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